CVD TAC Coating Planetary SIC Epitaxiale susceptor

De planetaire reactor van Aixtron is een van de meest geavanceerdeMOCVD-apparatuur. Het is voor veel reactorfabrikanten een leersjabloon geworden. Gebaseerd op het principe van de horizontale laminaire stromingsreactor, zorgt het voor een duidelijke overgang tussen verschillende materialen en heeft het een ongeëvenaarde controle over de depositiesnelheid in het gebied van de enkele atomaire laag, waarbij het onder specifieke omstandigheden op een roterende wafer wordt afgezet. 

De meest kritische hiervan is het meervoudige rotatiemechanisme: de reactor hanteert meerdere rotaties van de CVD TAC Coating Planetary SiC Epitaxiale susceptor. Met deze rotatie kan de wafel tijdens de reactie gelijkmatig worden blootgesteld aan het reactiegas, waardoor het materiaal op de wafer een uitstekende uniformiteit heeft in laagdikte, samenstelling en doping.

TaC-keramiek is een hoogwaardig materiaal met een hoog smeltpunt (3880°C), uitstekende thermische geleidbaarheid, elektrische geleidbaarheid, hoge hardheid en andere uitstekende eigenschappen, waarvan de belangrijkste corrosieweerstand en oxidatieweerstand zijn. Voor de epitaxiale groeiomstandigheden van halfgeleidermaterialen van SiC en groep III-nitride heeft TaC een uitstekende chemische inertie. Daarom heeft de CVD TaC-coating planetaire SiC epitaxiale susceptor, bereid volgens de CVD-methode, duidelijke voordelen in deSiC epitaxiale groeiproces.

SEM-afbeelding van de dwarsdoorsnede van TAC-gecoat grafiet

●  Bestand tegen hoge temperaturen:De epitaxiale groeitemperatuur van SiC is zo hoog als 1500℃ - 1700℃ of zelfs hoger. Het smeltpunt van TaC is zo hoog als ongeveer 4000℃. Na deTaC-coatingwordt aangebracht op het grafietoppervlak, degrafietonderdelenkan een goede stabiliteit behouden bij hoge temperaturen, bestand zijn tegen de hoge temperatuuromstandigheden van epitaxiale SiC-groei en zorgen voor een soepele voortgang van het epitaxiale groeiproces.

● Verbeterde corrosieweerstand:De TaC-coating heeft een goede chemische stabiliteit, isoleert deze chemische gassen effectief tegen contact met grafiet, voorkomt corrosie van grafiet en verlengt de levensduur van grafietonderdelen.

●  Verbeterde thermische geleidbaarheid:De TaC-coating kan de thermische geleidbaarheid van grafiet verbeteren, zodat de warmte gelijkmatiger kan worden verdeeld over het oppervlak van de grafietonderdelen, waardoor een stabiele temperatuuromgeving ontstaat voor de epitaxiale groei van SiC. Dit helpt de groei-uniformiteit van de epitaxiale SiC-laag te verbeteren.

● Verminder verontreiniging van onzuiverheid:De TaC-coating reageert niet met SiC en kan dienen als een effectieve barrière om te voorkomen dat onzuiverheidselementen in de grafietdelen diffunderen in de epitaxiale SiC-laag, waardoor de zuiverheid en prestaties van de epitaxiale SiC-wafel worden verbeterd.

Vetek Semiconductor is in staat en goed in het maken van CVD TAC Coating Planetary SiC Epitaxiale susceptor en kan klanten zeer op maat gemaakte producten bieden. We kijken uit naar uw aanvraag.

Fysische eigenschappen vanTantalum carbide coating 

VeTek Semiconductor-productiewinkels