Nieuws

Alleenstaande kristalmaterialen kunnen niet voldoen aan de behoeften van de groeiende productie van verschillende halfgeleiderapparaten. Eind 1959 werd een dunne laag van single crystal materiaalgroeicijftechnologie - epitaxiale groei ontwikkeld.

Siliciumcarbide is een van de ideale materialen voor het maken van hoge-temperatuur-, hoogfrequente, krachtige en hoogspanningsapparaten. Om de productie-efficiëntie te verbeteren en de kosten te verlagen, is de voorbereiding van grote siliciumcarbide-substraten een belangrijke ontwikkelingsrichting.

Volgens buitenlands nieuws onthulden twee bronnen op 24 juni dat ByteDance samenwerkt met het Amerikaanse chipontwerpbedrijf Broadcom om een ​​geavanceerde kunstmatige intelligentie (AI) computerprocessor te ontwikkelen, die ByteDance zal helpen een voldoende aanbod van hoogwaardige chips te garanderen te midden van de spanningen tussen China en de Verenigde Staten.